La firma surcoreana SK Hynix ha puesto en marcha la producción a gran escala de su chip de memoria HBM (siglas inglesas de gran ancho de banda) de nueva generación, denominado HBM3E, y está preparando para finales de marzo las entregas iniciales del producto en cuestión, destinados a un cliente que se cree que es Nvidia.

El fabricante de chips afirma ser la primera empresa que produce a gran escala un chip HBM de quinta generación. Está previsto que las primeras entregas del HBM3E comiencen siete meses después de anunciar su desarrollo.

Sungsoo Ryu, director de la línea de negocio HBM de SK Hynix, afirma que el éxito de la división y las sólidas alianzas establecidas a lo largo de los años con los clientes permiten asegurar que la empresa “consolidará su posición como proveedor total de memoria de IA”.

Dado que la memoria para IA funciona a una velocidad extremadamente alta, el control de la temperatura resulta crucial. Así, SK Hynix asegura que su HBM3E aporta una mejora del 10% en disipación del calor en comparación con la generación previa, gracias a un proceso avanzado de relleno moldeado por reflujo masivo (siglas inglesas MR-MUF).

SK Hynix explica que el MR-MUF es un proceso por el que se apilan semiconductores y se inyectan materiales líquidos entre ellos “a fin de proteger el circuito entre chips y endurecerlos”.

Según la firma, se ha visto que dicho proceso es “más eficiente y eficaz en la disipación del calor que el método de depositar materiales tipo película sobre cada una de las pilas de chips”.

La empresa afirma que dicho proceso es “fundamental para garantizar la estabilidad de la producción en masa desde el punto de vista de la oferta dentro del ecosistema HBM”.

Reuters informó hace poco que Samsung, que por ahora aplica películas no conductoras a los chips, está estudiando la adopción de la técnica de MR-MUF a fin de mejorar el rendimiento de producción de sus chips HBM.