Según The Chosun Daily, Samsung Electronics ha suscrito un acuerdo de licencia de patentes con un fabricante de chips radicado en China, Yangtze Memory Technologies, y recurrirá a la tecnología de unión híbrida NAND 3D de este último en la producción de la próxima generación de memorias flash.

El mismo periódico explica que Yangtze Memory Technologies fue una de las primeras empresas en desarrollar la tecnología de unión híbrida para la producción de memorias NAND, un método que reduce la altura de los chips e incrementa la velocidad de procesamiento de datos.

Dicha técnica puede aumentar de 300 a más de 400 el número de capas de los chips NAND.

Según The Chosun Daily, Samsung ha suscrito un acuerdo de licencias cruzadas.

El Global Times, por su parte, informa de que el método de unión patentado es crucial para la producción veloz y en masa de los chips NAND de nueva generación de Samsung.

Samsung ha quedado por detrás de su rival local SK Hynix en chips de memoria de gran ancho de banda (HBM por sus siglas inglesas) utilizados en tareas de IA, lo que ha llevado al nuevo presidente de la división Device Solution, Jun Young-hyun, a reorganizarla.

El fabricante también ha sufrido retrasos en la obtención de la aprobación de Nvidia para los chips HBM de nueva generación.

En enero, Jensen Huang, fundador de Nvidia, expresó su confianza en que Samsung podría resolver los problemas técnicos de sus productos HBM.